페이지 인쇄
NVMFD5C478NT1G
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.014 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NVMFD5C478NT1G
주문 코드2895745RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id27A
On Resistance Rds(on)0.014ohm
Continuous Drain Current Id N Channel27A
Continuous Drain Current Id P Channel27A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.014ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.014ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Transistor Case StyleDFN
Power Dissipation Pd23W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel23W
Power Dissipation P Channel23W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
On Resistance Rds(on)
0.014ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
27A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.014ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
DFN
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
23W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Continuous Drain Current Id
27A
Continuous Drain Current Id N Channel
27A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.014ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Power Dissipation Pd
23W
Power Dissipation N Channel
23W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0001