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NXH40B120MNQ0SNG
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, DualPack, Dual N Channel, 38 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Module
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩119,930 |
| 5+ | ₩114,846 |
| 10+ | ₩109,762 |
| 50+ | ₩107,567 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NXH40B120MNQ0SNG
주문 코드3929810
Product RangeEliteSiC Series
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationDualPack
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id38A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.04ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation118W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
DualPack
Continuous Drain Current Id
38A
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
-
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
118W
Product Range
EliteSiC Series
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.09