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SBAS16HT1G
Small Signal Diode, Single, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 36 A
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩213 | ₩1,065 |
| 총계 가격 | ₩1,065 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩213 |
| 10+ | ₩94 |
| 100+ | ₩81 |
| 500+ | ₩58 |
| 1000+ | ₩57 |
| 5000+ | ₩56 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호SBAS16HT1G복사
제조업체 표준 리드 타임54주
주문 코드
리릴링2723933RL
컷 테이프2723933
기술 데이터 시트
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage100V
Average Forward Current200mA
Forward Voltage Max1.25V
Reverse Recovery Time6ns
Forward Surge Current36A
Operating Temperature Max150°C
Diode Case StyleSOD-323
No. of Pins2Pins
Diode MountingSurface Mount
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
SBAS16HT1G is a switching diode. It is AEC-Q101 qualified and PPAP capable.
- Continuous reverse voltage is 100V
- Peak forward current is 200mA
- Repetitive peak forward current is 1A
- Reverse voltage leakage current is 1µAdc maximum at (VR = 100Vdc, TA = 25°C)
- Reverse breakdown voltage is 100VDC minimum at (TA = 25°C)
- Forward voltage is 715mW maximum at (TA = 25°C)
- Diode capacitance is 2pF maximum at (VR = 0, f = 1MHz)
- Forward recovery voltage is 1.75VDC maximum at (IF = 10mAdc, tr = 20ns)
- Reverse recovery time is 6ns maximum at (IF = IR = 10mAdc, RL = 50 ohm)
- Junction temperature range from -55°C to 150°C, SOD-323 package
기술 사양
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
200mA
Reverse Recovery Time
6ns
Operating Temperature Max
150°C
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Repetitive Peak Reverse Voltage
100V
Forward Voltage Max
1.25V
Forward Surge Current
36A
Diode Case Style
SOD-323
Diode Mounting
Surface Mount
Qualification
AEC-Q101
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000833