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SMBT3946DW1T1G
Bipolar Transistor Array, Complementary NPN and PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호SMBT3946DW1T1G
주문 코드2724494RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityComplementary NPN and PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo40V
Collector Emitter Voltage Max NPN40V
Collector Emitter Voltage Max PNP40V
DC Collector Current200mA
Continuous Collector Current NPN200mA
Power Dissipation Pd150mW
DC Current Gain hFE30hFE
Continuous Collector Current PNP200mA
Power Dissipation NPN150mW
Power Dissipation PNP150mW
DC Current Gain hFE Min NPN30hFE
DC Current Gain hFE Min PNP30hFE
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN300MHz
Transition Frequency PNP250MHz
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
Complementary NPN and PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN
40V
DC Collector Current
200mA
Power Dissipation Pd
150mW
Continuous Collector Current PNP
200mA
Power Dissipation PNP
150mW
DC Current Gain hFE Min PNP
30hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
250MHz
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
40V
Collector Emitter Voltage Max PNP
40V
Continuous Collector Current NPN
200mA
DC Current Gain hFE
30hFE
Power Dissipation NPN
150mW
DC Current Gain hFE Min NPN
30hFE
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
300MHz
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00001