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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩20,760 |
| 5+ | ₩17,701 |
| 10+ | ₩14,641 |
| 50+ | ₩13,984 |
| 100+ | ₩13,327 |
| 250+ | ₩13,061 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호UJ4C075033B7S
주문 코드4750200
Product RangeEliteSiC Series
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id44A
Drain Source Voltage Vds750V
Drain Source On State Resistance0.041ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max6V
Power Dissipation197W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
44A
Drain Source On State Resistance
0.041ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
197W
Product Range
EliteSiC Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001