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2SK1317-E
Power MOSFET, N Channel, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, TO-3P, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩20,308 |
| 10+ | ₩17,138 |
| 100+ | ₩16,826 |
| 500+ | ₩16,490 |
| 1000+ | ₩16,153 |
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제품 정보
제조업체RENESAS
제조업체 부품 번호2SK1317-E
주문 코드3392523
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1.5kV
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source On State Resistance9ohm
Transistor Case StyleTO-3P
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation100W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The 2SK1317-E is a 1500V Silicon N-channel MOSFET with high speed power switching and high breakdown voltage. Suitable for switching regulator, DC to DC converter and motor driver applications.
- High speed switching
- Low drive current
- No secondary breakdown
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
Transistor Case Style
TO-3P
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
100W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
1.5kV
Drain Source On State Resistance
9ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001236