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RJH60F6DPQ-A0#T0
IGBT, 85 A, 1.35 V, 297.6 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체RENESAS
제조업체 부품 번호RJH60F6DPQ-A0#T0
주문 코드2135156
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current85A
Collector Emitter Saturation Voltage1.35V
Power Dissipation297.6W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
기술 사양
Continuous Collector Current
85A
Power Dissipation
297.6W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.35V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00614