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TP65H035G4YS
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 46.5 A, 0.041 ohm, 42.7 nC, TO-247, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | ₩25,915 |
| 5+ | ₩24,602 |
| 10+ | ₩22,879 |
| 50+ | ₩21,890 |
| 100+ | ₩21,112 |
| 250+ | ₩19,491 |
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제품 정보
제조업체RENESAS
제조업체 부품 번호TP65H035G4YS
주문 코드4680953
Product RangeSuperGaN Series
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id46.5A
Drain Source On State Resistance0.041ohm
Typical Gate Charge42.7nC
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins4Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.041ohm
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
4Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
46.5A
Typical Gate Charge
42.7nC
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001