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TP70H480G4JSGB-TR
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 700 V, 5 A, 0.56 ohm, 5.2 nC, QFN, Surface Mount
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제품 정보
제조업체RENESAS
제조업체 부품 번호TP70H480G4JSGB-TR
주문 코드4680958
Product RangeSuperGaN Series
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds700V
Continuous Drain Current Id5A
Drain Source On State Resistance0.56ohm
Typical Gate Charge5.2nC
Transistor Case StyleQFN
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
TP70H480G4JSGB-TR is a 700V, 480mohm SuperGaN® Gallium Nitride (GaN) FET. It is a normally-off device using Renesas’ Gen IV platform. It combines a state-of-the art high voltage GaN HEMT with a low voltage silicon MOSFET to offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN® platform uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability while improving efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Applications include consumer, power adapters, low power SMPS and lighting.
- Dynamic RDS(on)eff production tested
- Transient over-voltage capability and E-mode gate driver operation without zener protection
- Very low QRR
- Reduced crossover loss
- 2kV HBM ESD rating
- Achieves increased efficiency in both hard- and soft-switched circuits
- Easy to drive with commonly used gate drivers
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
700V
Drain Source On State Resistance
0.56ohm
Transistor Case Style
QFN
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
5A
Typical Gate Charge
5.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001