페이지 인쇄
2SB1386T100R
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 20 V, 4 A, 500 mW, SOT-89, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호2SB1386T100R
주문 코드1680123
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max20V
Continuous Collector Current4A
Power Dissipation500mW
Transistor Case StyleSOT-89
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency120MHz
DC Current Gain hFE Min82hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (23-Jan-2024)
제품 개요
The 2SB1386T100R is a -5A PNP low-frequency epitaxial planar Silicon Transistor offers low collector to emitter saturation voltage.
- Excellent DC current gain characteristics
- 2SD2098 Complement
애플리케이션
Industrial, Power Management
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
4A
Transistor Case Style
SOT-89
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
82hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
20V
Power Dissipation
500mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
120MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000141