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제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호2SK3065T100
주문 코드1834055
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance0.32ohm
Transistor Case StyleSOT-89
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The 2SK3065T100 is a 60V Silicon N-channel MOSFET with high speed switching and low on resistance.
- Optimum for a pocket resource because of undervoltage actuation (2.5V actuation)
- Driving circuit is easy
- Easy to use and parallel
- Electrostatic discharge protection
애플리케이션
Power Management
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Transistor Case Style
SOT-89
Rds(on) Test Voltage
4V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.32ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
2SK3065T100의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000139