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BSM120D12P2C005
Silicon Carbide Bipolar (BJT) Single Transistor, N Channel, 120 A, 1.2 kV, 2.7 V
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제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호BSM120D12P2C005
주문 코드2345472
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins10Pins
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation780W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCLead (23-Jan-2024)
제품 개요
The BSM120D12P2C005 is a N-channel SiC Power Module designed for use with inverter, converter, photovoltaic, wind power generation and induction heating equipment applications. The device offers low surge, low switching loss and high-speed switching possible, reduced temperature dependence.
애플리케이션
Industrial, Motor Drive & Control, Alternative Energy, Power Management, Medical
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
120A
Drain Source On State Resistance
-
No. of Pins
10Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
780W
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85359000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.279413