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EM6K6T2R
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm
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제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호EM6K6T2R
주문 코드2706589RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id300mA
Continuous Drain Current Id N Channel300mA
On Resistance Rds(on)0.7ohm
Continuous Drain Current Id P Channel300mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.7ohm
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel0.7ohm
Rds(on) Test Voltage4V
Transistor Case StyleSOT-563
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation Pd150mW
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel150mW
Power Dissipation P Channel150mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
300mA
Continuous Drain Current Id P Channel
300mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
150mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
300mA
On Resistance Rds(on)
0.7ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
0.7ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.7ohm
Transistor Case Style
SOT-563
Power Dissipation Pd
150mW
Power Dissipation N Channel
150mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000003