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GNP2070TD-ZTR
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 27 A, 0.098 ohm, 5.2 nC, TOLL, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호GNP2070TD-ZTR
주문 코드4633526
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id27A
Drain Source On State Resistance0.098ohm
Typical Gate Charge5.2nC
Transistor Case StyleTOLL
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
제품 개요
GNP2070TD-ZTR is a 650V GaN HEMT which has achieved the industry's highest class FOM (Ron*Ciss, Ron*Coss). It is a product of the EcoGaN™ series that contributes to power conversion efficiency and size reduction by making the best use of low ON resistance and high-speed switching. ESD protection function is built in for high-reliability design. In addition, the highly versatile packages provide excellent heat dissipation and facilitates mounting. Suitable for high switching frequency converter and high density converter applications.
- 650V E-mode GaN HEMT
- 70mohm resistance and 5.2nC gate charge
- 27A Ids, 6.5V Vgs rating
- 0.098ohm drain source on state resistance
- 53A ID,pulse
- 800V transient drain to source voltage
- 8.5V transient gate to source voltage
- 159W power dissipation at Tc= 25°C
- 8 pin TOLL package, operation temperature Tj range from -55 to 150°C
- Dimension is 11.68mm x 9.9mm x 2.4mm (W (Typ) x D (Typ) x H (Max))
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.098ohm
Transistor Case Style
TOLL
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
27A
Typical Gate Charge
5.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00001