페이지 인쇄
HP8M31TB1
Dual MOSFET, N and P Channel, 60 V, 60 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.046 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호HP8M31TB1
주문 코드3934697RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN and P Channel
Channel TypeN and P Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id8.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
On Resistance Rds(on)0.046ohm
Continuous Drain Current Id N Channel8.5A
Continuous Drain Current Id P Channel8.5A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.046ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.046ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Transistor Case StyleHSOP
Power Dissipation Pd7W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel7W
Power Dissipation P Channel7W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
기술 사양
Transistor Polarity
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id
8.5A
On Resistance Rds(on)
0.046ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
8.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.046ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
HSOP
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
7W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
8.5A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.046ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
7W
Power Dissipation N Channel
7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0005