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QH8KA4TCR
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0125 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호QH8KA4TCR
주문 코드2706591RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id9A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
On Resistance Rds(on)0.0125ohm
Continuous Drain Current Id N Channel9A
Continuous Drain Current Id P Channel9A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.0125ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.0125ohm
Transistor Case StyleTSMT
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd1.5W
Power Dissipation N Channel1.5W
Power Dissipation P Channel1.5W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
9A
On Resistance Rds(on)
0.0125ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
9A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0125ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0125ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation Pd
1.5W
Power Dissipation P Channel
1.5W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
9A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
TSMT
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.005577