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R6076ENZ1C9
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 76 A, 0.042 ohm, TO-247, Through Hole
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호R6076ENZ1C9
주문 코드2630123
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id76A
Drain Source On State Resistance0.042ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation120W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
R6076ENZ1C9의 대체 제품
5개 제품을 찾았습니다.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
76A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
120W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.042ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00001