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RGT8NS65DGTL
IGBT, Field Stop Trench, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263S, 3 Pins
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제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호RGT8NS65DGTL
주문 코드2519786
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current8A
Collector Emitter Saturation Voltage1.65V
Power Dissipation65W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-263S
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (23-Jan-2024)
기술 사양
Continuous Collector Current
8A
Power Dissipation
65W
Transistor Case Style
TO-263S
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Collector Emitter Saturation Voltage
1.65V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002