페이지 인쇄
SH8K26GZ0TB
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.027 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호SH8K26GZ0TB
주문 코드2706779RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
On Resistance Rds(on)0.027ohm
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.027ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.027ohm
Transistor Case StyleSOP
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd2W
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Continuous Drain Current Id
6A
On Resistance Rds(on)
0.027ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.027ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.027ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
2W
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOP
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000074