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SH8K32GZETB
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호SH8K32GZETB
주문 코드2706706RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id4.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
On Resistance Rds(on)0.046ohm
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.046ohm
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel0.046ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOP
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd2W
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max-
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id
4.5A
On Resistance Rds(on)
0.046ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
2W
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.046ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.046ohm
Transistor Case Style
SOP
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
-
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000074