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제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호SH8M41GZETB
주문 코드2706709RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Drain Source Voltage Vds N Channel80V
Drain Source Voltage Vds P Channel80V
Continuous Drain Current Id3.4A
Continuous Drain Current Id N Channel3.4A
On Resistance Rds(on)0.09ohm
Continuous Drain Current Id P Channel3.4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.09ohm
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel0.09ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOP
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd2W
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source Voltage Vds P Channel
80V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.4A
Continuous Drain Current Id P Channel
3.4A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
2W
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
80V
Continuous Drain Current Id
3.4A
On Resistance Rds(on)
0.09ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
0.09ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.09ohm
Transistor Case Style
SOP
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000074