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UM6K34NTCN
Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
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제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호UM6K34NTCN
주문 코드2706717RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Drain Source Voltage Vds N Channel50V
Drain Source Voltage Vds P Channel50V
Continuous Drain Current Id200mA
Continuous Drain Current Id N Channel200mA
On Resistance Rds(on)1.6ohm
Continuous Drain Current Id P Channel200mA
Drain Source On State Resistance N Channel1.6ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel1.6ohm
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd150mW
Power Dissipation N Channel150mW
Power Dissipation P Channel150mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
50V
Drain Source Voltage Vds P Channel
50V
Continuous Drain Current Id N Channel
200mA
Continuous Drain Current Id P Channel
200mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
1.6ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation Pd
150mW
Power Dissipation P Channel
150mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
50V
Continuous Drain Current Id
200mA
On Resistance Rds(on)
1.6ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
1.6ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
150mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000005