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2N6661
Power MOSFET, MOSPOWER, N Channel, 90 V, 900 mA, 4 ohm, TO-205AF, Through Hole
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체SOLID STATE
제조업체 부품 번호2N6661
주문 코드2630600
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds90V
Continuous Drain Current Id900mA
Drain Source On State Resistance4ohm
Transistor Case StyleTO-205AF
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation6.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
2N6661의 대체 제품
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제품 개요
The 2N6661 is a 90V N-channel Enhancement Mode MOSFET designed for use in switching regulators, converters and motor drivers.
애플리케이션
Power Management, Industrial, Motor Drive & Control
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
900mA
Transistor Case Style
TO-205AF
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
6.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
90V
Drain Source On State Resistance
4ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001814