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PMD16K100
Darlington Transistor, NPN, 100 V, 225 W, 20 A, TO-3, 3 Pins
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더 이상 재고 없음
제품 정보
제조업체SOLID STATE
제조업체 부품 번호PMD16K100
주문 코드1863026
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Power Dissipation Pd225W
DC Collector Current20A
RF Transistor CaseTO-3
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE1000hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The PMD16K100 is a 100V Silicon NPN Darlington Power Transistor having monolithic epitaxial base structures with built-in base to emitter shunt resistors. The transistor is CVD glass passivated to increase reliability and provide reduced high temperature reverse leakage current. Internal diode protection of the Darlington configuration is built into the structure to limit the device power dissipation during negative overshoot.
- Low thermal resistance for more useable power
- Hermetically sealed
애플리케이션
Industrial
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
225W
RF Transistor Case
TO-3
DC Current Gain hFE
1000hFE
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
DC Collector Current
20A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
기술 문서 (1)
관련 제품
3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000766