페이지 인쇄
GD150HFY120C1S
IGBT Module, Half Bridge, 230 A, 2 V, 746 W, 150 °C, Module
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
23 재고
더 필요하세요?
23 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩87,542 |
| 5+ | ₩81,887 |
| 10+ | ₩77,190 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩87,542
부품 번호 /라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
이 번호는 주문 확인서, 청구서, 발송장, 웹 확인 이메일, 제품 라벨에 추가됩니다.
제품 정보
제조업체STARPOWER
제조업체 부품 번호GD150HFY120C1S
주문 코드2986061
기술 데이터 시트
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current230A
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Power Dissipation746W
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
제품 개요
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
IGBT Configuration
Half Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Continuous Collector Current
230A
Power Dissipation
746W
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
기술 문서 (1)
GD150HFY120C1S의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:To Be Advised
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.152861