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MD300HFR120B3S
Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Dual N Channel, 381 A, 1.2 kV, 0.005 ohm
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제품 정보
제조업체STARPOWER
제조업체 부품 번호MD300HFR120B3S
주문 코드2986058
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id381A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.005ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
제품 개요
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
경고
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기술 사양
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
381A
Drain Source On State Resistance
0.005ohm
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:To Be Advised
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제품 준수 증명서
무게(kg):.453592