페이지 인쇄
2N3055...
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-3, Through Hole
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체 부품 번호2N3055...
주문 코드9801308
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max60V
Continuous Collector Current15A
Power Dissipation115W
Transistor Case StyleTO-3
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins2Pins
Transition Frequency3MHz
DC Current Gain hFE Min70hFE
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
2N3055...의 대체 제품
3개 제품을 찾았습니다.
제품 개요
The 2N3055 from STMicroelectronics is a through hole complementary power transistor in TO-3 package. This device manufactured in planar technology with “base island” layout and suitable for power linear and switching applications.
- Collector to emitter voltage (Vce) is 70V at 100 ohm RBE
- Collector current (Ic) is 15A
- Power dissipation (Pd) is 115W
- Collector to emitter saturation voltage of 3V at 10A collector current
- DC current gain (hFE) of 5 at 10A collector current
- Operating junction temperature range from 200°C
애플리케이션
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
15A
Transistor Case Style
TO-3
No. of Pins
2Pins
DC Current Gain hFE Min
70hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
60V
Power Dissipation
115W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
3MHz
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
관련 제품
3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0115