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SCT070H120G3AG
Silicon Carbide MOSFET, AEC-Q101, Single, N Channel, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, H2PAK
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기술 사양
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.087ohm
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
223W
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
175°C
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Italy
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Italy
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00001