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STB80NF55-08T4
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 80 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체 부품 번호STB80NF55-08T4
주문 코드1291955
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance0.008ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage16V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation300W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The STB80NF55-08T4 is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The device has extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
- Standard threshold drive
- -55 to 175°C Operating junction temperature range
애플리케이션
Power Management, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
16V
Power Dissipation
300W
Product Range
-
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.008ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
기술 문서 (1)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0015