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STGB20NB41LZT4
IGBT, 40 A, 1.3 V, 200 W, 412 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
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|---|---|
| 1+ | ₩4,981 |
| 10+ | ₩3,674 |
| 100+ | ₩2,774 |
| 500+ | ₩2,758 |
| 1000+ | ₩2,742 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호STGB20NB41LZT4
주문 코드2353662
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current40A
Collector Emitter Saturation Voltage1.3V
Power Dissipation200W
Collector Emitter Voltage Max412V
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The STGB20NB41LZT4 is an internally clamped PowerMESH™ IGBT using the latest high voltage technology based on a patented strip layout. STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBT with outstanding performances. The built-in collector-gate Zener exhibits a very precise active clamping while the gate-emitter Zener supplies an ESD protection.
- Polysilicon gate voltage driven
- Low threshold voltage
- Low on-voltage drop
- Low gate charge
- High current capability
- High voltage clamping
애플리케이션
Automotive, Power Management
기술 사양
Continuous Collector Current
40A
Power Dissipation
200W
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Saturation Voltage
1.3V
Collector Emitter Voltage Max
412V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.0001