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STL20N6F7
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 0.0046 ohm, PowerFLAT, Surface Mount
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제품 정보
제조업체 부품 번호STL20N6F7
주문 코드3132750RL
Product RangeSTripFET F7
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.0046ohm
Transistor Case StylePowerFLAT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation78W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSTripFET F7
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
STL20N6F7 is a N-channel STripFET™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 3.3x3.3 package. This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low onstate resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching. Suitable for switching applications.
- Among the lowest RDS(on) on the market
- Excellent figure of merit (FoM)
- Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
- High avalanche ruggedness
- 60V drain-source breakdown voltage
- 0.0054ohm static drain-source on-resistance max
- 20A drain current (continuous) at Tpcb = 25 °C
- Operating junction temperature range from -55 to 150°C
- 3W total dissipation at Tpcb = 25°C
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
PowerFLAT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
78W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0046ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
STripFET F7
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000075