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TSM1NB60CP ROG
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 1 A, 8 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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제품 정보
제조업체 부품 번호TSM1NB60CP ROG
주문 코드2345414
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id1A
Drain Source On State Resistance8ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation39W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
제품 개요
The TSM1NB60CP is a 600V N-channel Power MOSFET with single configuration, which features low gate charge. It is suitable for power supply and charger applications.
- Advanced planar process
- 100% Avalanche tested
- Low RDS (ON)
- Low CRSS
애플리케이션
Industrial, Power Management, Lighting
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
39W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
8ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001996