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제품 정보
제조업체 부품 번호TSM2302CX
주문 코드1299316
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.4A
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max450mV
Power Dissipation250mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
TSM2302CX의 대체 제품
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제품 개요
The TSM2302CX is a 20V N-channel Power MOSFET with high density cell design for ultra low on-resistance and advance Trench process technology.
- ±8V Gate-source voltage
- 1.6A Continuous source current
- 75°C/W Junction-to-case thermal resistance
- 145°C/W Junction-to-ambient thermal resistance
애플리케이션
Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.4A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
450mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
기술 문서 (1)
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000245