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2SA1943-O(Q)
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3PL, Through Hole
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제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호2SA1943-O(Q)
주문 코드3872203
AKA2SA1943, 2SA1943-O(Q
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max230V
Continuous Collector Current15A
Power Dissipation150W
Transistor Case StyleTO-3PL
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency30MHz
DC Current Gain hFE Min55hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
2SA1943-O(Q) is a silicon PNP triple diffused type transistor for power amplifier application.
- High collector voltage is -230V min (Ta = 25°C)
- Complementary to 2SC5200
- Recommended for 100W high-fidelity audio frequency amplifier output stage
- Collector power dissipation is 150W (Tc = 25°C)
- Collector cut-off current is -5μA max (VCB = -230V, IE = 0A, Ta = 25°C)
- Emitter cut-off current is -5μA max (VEB = -5V, IC = 0A, Ta = 25°C)
- Collector-emitter breakdown voltage is -230V min (IC = -50mA, IB = 0A, Ta = 25°C)
- Collector-emitter saturation voltage is -1.5V typ (IC = -8A, IB = -0.8A, Ta = 25°C)
- Transition frequency is 30MHz typ (VCE = -5V, IC = -1A, Ta = 25°C)
- 55 min DC current gain (VCE = −5V, IC = −1A), junction temperature is 150°C
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
15A
Transistor Case Style
TO-3PL
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
55hFE
Product Range
-
Collector Emitter Voltage Max
230V
Power Dissipation
150W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
30MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.015876