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GT50J325
IGBT, 50 A, 2.45 V, 240 W, 600 V, TO-3P, 3 Pins
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더 이상 제조되지 않음
제품 개요
The GT50J325 from Toshiba is a N channel silicon insulated gate bipolar transistor in through hole TO-3P package. IGBT typically used at fast switching and high power switching applications.
- Fourth generation IGBT
- Enhancement mode type
- Fast switching
- Operating frequency up to 50KHz
- Maximum collector emitter saturation voltage of 2.45V
- FRD included between emitter and collector
- Collector emitter voltage VCES of 600V
- DC collector current of 50A
- Junction temperature of 150°C
- Collector power dissipation of 240W
애플리케이션
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial
기술 사양
Continuous Collector Current
50A
Power Dissipation
240W
Transistor Case Style
TO-3P
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.45V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
기술 문서 (1)
관련 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00975