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HN4A51J(TE85L,F)
Bipolar Transistor Array, Dual PNP, 120 V, 100 mA
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 100+ | ₩311 |
| 500+ | ₩235 |
| 1000+ | ₩176 |
| 5000+ | ₩139 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
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₩31,100
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제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호HN4A51J(TE85L,F)
주문 코드4415967RL
AKAHN4A51J, HN4A51J(TE85L
기술 데이터 시트
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Collector Emitter Voltage Max PNP120V
Continuous Collector Current NPN-
Continuous Collector Current PNP100mA
Power Dissipation NPN-
Power Dissipation PNP300mW
DC Current Gain hFE Min NPN-
DC Current Gain hFE Min PNP200hFE
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP100MHz
기술 사양
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
Continuous Collector Current NPN
-
Power Dissipation NPN
-
DC Current Gain hFE Min NPN
-
No. of Pins
5Pins
Transition Frequency NPN
-
Collector Emitter Voltage Max PNP
120V
Continuous Collector Current PNP
100mA
Power Dissipation PNP
300mW
DC Current Gain hFE Min PNP
200hFE
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
100MHz
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000014