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HN4C51J(TE85L,F)
Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 120 V, 100 mA, 300 mW
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 100+ | ₩298 |
| 500+ | ₩228 |
| 1000+ | ₩159 |
| 5000+ | ₩139 |
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₩29,800
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제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호HN4C51J(TE85L,F)
주문 코드4415968RL
AKAHN4C51J, HN4C51J(TE85L
기술 데이터 시트
Collector Emitter Voltage Max NPN120V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN100mA
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN300mW
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN200hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN100MHz
Transition Frequency PNP-
기술 사양
Collector Emitter Voltage Max NPN
120V
Continuous Collector Current NPN
100mA
Power Dissipation NPN
300mW
DC Current Gain hFE Min NPN
200hFE
No. of Pins
5Pins
Transition Frequency NPN
100MHz
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000014