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RN1101MFV,L3F(CT
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
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제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호RN1101MFV,L3F(CT
주문 코드4381056RL
AKARN1101MFV, RN1101MFV,L3F(CT
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R14.7kohm
Base Emitter Resistor R24.7kohm
Transistor Case StyleSOT-723
No. of Pins3 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation150mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min30hFE
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Base Input Resistor R1
4.7kohm
Transistor Case Style
SOT-723
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Continuous Collector Current
100mA
Base Emitter Resistor R2
4.7kohm
No. of Pins
3 Pin
Power Dissipation
150mW
DC Current Gain hFE Min
30hFE
Qualification
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:To Be Advised
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000002