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SSM6L39TU,LF(T
Dual MOSFET, N and P Channel, 20 V, 20 V, 1.6 A, 1.6 A, 0.087 ohm
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제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호SSM6L39TU,LF(T
주문 코드3872302RL
AKASSM6L39TU ,SSM6L39TU,LF
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN and P Channel
Channel TypeN and P Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id1.6A
Continuous Drain Current Id N Channel1.6A
On Resistance Rds(on)0.087ohm
Continuous Drain Current Id P Channel1.6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.087ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4V
Drain Source On State Resistance P Channel0.087ohm
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Transistor Case StyleSOT-363F
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd500mW
Power Dissipation N Channel500mW
Power Dissipation P Channel500mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCTo Be Advised
기술 사양
Transistor Polarity
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
1.6A
Continuous Drain Current Id P Channel
1.6A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.087ohm
Transistor Case Style
SOT-363F
Power Dissipation Pd
500mW
Power Dissipation P Channel
500mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id
1.6A
On Resistance Rds(on)
0.087ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
0.087ohm
Rds(on) Test Voltage
4V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:To Be Advised
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001