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SSM6N44FE,LM(T
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 2.2 ohm
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제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호SSM6N44FE,LM(T
주문 코드3872305RL
AKASSM6N44FE ,SSM6N44FE,LM
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id100mA
Continuous Drain Current Id N Channel100mA
On Resistance Rds(on)2.2ohm
Continuous Drain Current Id P Channel100mA
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel2.2ohm
Drain Source On State Resistance P Channel2.2ohm
Rds(on) Test Voltage4V
Transistor Case StyleSOT-563
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation Pd150mW
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel150mW
Power Dissipation P Channel150mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCTo Be Advised
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
100mA
Continuous Drain Current Id P Channel
100mA
Drain Source On State Resistance N Channel
2.2ohm
Rds(on) Test Voltage
4V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
150mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
100mA
On Resistance Rds(on)
2.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
2.2ohm
Transistor Case Style
SOT-563
Power Dissipation Pd
150mW
Power Dissipation N Channel
150mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:To Be Advised
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001