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TK65E10N1,S1X(S
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 148 A, 0.004 ohm, TO-220, Through Hole
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제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호TK65E10N1,S1X(S
주문 코드4173137
Product RangeU-MOSVIII-H Series
AKATK65E10N1, TK65E10N1,S1X
기술 데이터 시트
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩5,083 |
| 10+ | ₩2,208 |
| 100+ | ₩2,193 |
| 500+ | ₩2,121 |
| 1000+ | ₩2,079 |
| 5000+ | ₩2,037 |
가격기준Each
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주문 배수수량: 1
₩5,083
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제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호TK65E10N1,S1X(S
주문 코드4173137
Product RangeU-MOSVIII-H Series
AKATK65E10N1, TK65E10N1,S1X
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id148A
Drain Source On State Resistance0.004ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation192W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeU-MOSVIII-H Series
Qualification-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
148A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
192W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.004ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
U-MOSVIII-H Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00193