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TK8R2E06PL,S1X(S
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 75 A, 0.0061 ohm, TO-220, Through Hole
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제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호TK8R2E06PL,S1X(S
주문 코드4173175
Product RangeU-MOSIX-H Series
AKATK8R2E06PL, TK8R2E06PL,S1X
기술 데이터 시트
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,876 |
| 10+ | ₩1,569 |
| 100+ | ₩1,159 |
| 500+ | ₩985 |
| 1000+ | ₩830 |
| 5000+ | ₩805 |
가격기준Each
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주문 배수수량: 1
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제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호TK8R2E06PL,S1X(S
주문 코드4173175
Product RangeU-MOSIX-H Series
AKATK8R2E06PL, TK8R2E06PL,S1X
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id75A
Drain Source On State Resistance0.0061ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation81W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSIX-H Series
Qualification-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
75A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
81W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0061ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
U-MOSIX-H Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00193