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TPH12008NH,L1Q(M
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Surface Mount
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제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호TPH12008NH,L1Q(M
주문 코드4173185
Product RangeU-MOSVIII-H Series
AKATPH12008NH, TPH12008NH,L1Q
기술 데이터 시트
제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호TPH12008NH,L1Q(M
주문 코드4173185
Product RangeU-MOSVIII-H Series
AKATPH12008NH, TPH12008NH,L1Q
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id44A
Drain Source On State Resistance0.0101ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation48W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeU-MOSVIII-H Series
Qualification-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
44A
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
U-MOSVIII-H Series
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0101ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
48W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00007