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TPN2R805PL,L1Q(M
Power MOSFET, N Channel, 45 V, 139 A, 0.0022 ohm, TSON, Surface Mount
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제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호TPN2R805PL,L1Q(M
주문 코드4173232
Product RangeU-MOSIX-H Series
AKATPN2R805PL, TPN2R805PL,L1Q
기술 데이터 시트
제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호TPN2R805PL,L1Q(M
주문 코드4173232
Product RangeU-MOSIX-H Series
AKATPN2R805PL, TPN2R805PL,L1Q
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds45V
Continuous Drain Current Id139A
Drain Source On State Resistance0.0022ohm
Transistor Case StyleTSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSIX-H Series
Qualification-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
139A
Transistor Case Style
TSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
45V
Drain Source On State Resistance
0.0022ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
U-MOSIX-H Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00003