페이지 인쇄
TPW1R104PB,L1Q(O
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 120 A, 950 µohm, DSOP, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호TPW1R104PB,L1Q(O
주문 코드4173248
Product RangeU-MOSIX-H Series
AKATPW1R104PB, TPW1R104PB,L1Q
기술 데이터 시트
제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호TPW1R104PB,L1Q(O
주문 코드4173248
Product RangeU-MOSIX-H Series
AKATPW1R104PB, TPW1R104PB,L1Q
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance950µohm
Transistor Case StyleDSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation132W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSIX-H Series
Qualification-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
DSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
132W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
950µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
U-MOSIX-H Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00009