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TW123V65C,LQ(S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 18 A, 650 V, 0.183 ohm, DFN
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩14,415 |
| 5+ | ₩12,713 |
| 10+ | ₩10,966 |
| 50+ | ₩10,339 |
| 100+ | ₩9,690 |
| 250+ | ₩9,277 |
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제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호TW123V65C,LQ(S
주문 코드4697805
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.183ohm
Transistor Case StyleDFN
No. of Pins5Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation76W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
18A
Drain Source On State Resistance
0.183ohm
No. of Pins
5Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
DFN
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
76W
Product Range
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000175