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XPQ1R004PB,LXHQ(O
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 200 A, 800 µohm, L-TOGL, Surface Mount
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제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호XPQ1R004PB,LXHQ(O
주문 코드4154414
Product RangeU-MOSIX-H Series
AKAXPQ1R004PB, XPQ1R004PB,LXHQ
기술 데이터 시트
제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호XPQ1R004PB,LXHQ(O
주문 코드4154414
Product RangeU-MOSIX-H Series
AKAXPQ1R004PB, XPQ1R004PB,LXHQ
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source On State Resistance800µohm
Transistor Case StyleL-TOGL
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation230W
No. of Pins9Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSIX-H Series
QualificationAEC-Q101
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
200A
Transistor Case Style
L-TOGL
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
230W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
9Pins
Product Range
U-MOSIX-H Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000745