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제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호XPW6R30ANB,L1XHQ(O
주문 코드4294080RL
Product RangeU-MOSVIII-H Series
AKAXPW6R30ANB, XPW6R30ANB,L1XHQ
기술 데이터 시트
제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호XPW6R30ANB,L1XHQ(O
주문 코드4294080RL
Product RangeU-MOSVIII-H Series
AKAXPW6R30ANB, XPW6R30ANB,L1XHQ
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id45A
Drain Source On State Resistance6300µohm
Transistor Case StyleDSOP Advance M
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation132W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSVIII-H Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
45A
Transistor Case Style
DSOP Advance M
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
132W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
6300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
U-MOSVIII-H Series
SVHC
To Be Advised
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:To Be Advised
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000088