페이지 인쇄
IRFIB6N60APBF
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 5.5 A, 0.75 ohm, TO-220FP, Through Hole
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
537 재고
더 필요하세요?
537 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,836 |
| 10+ | ₩2,578 |
| 100+ | ₩2,563 |
| 500+ | ₩2,518 |
| 1000+ | ₩2,503 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩3,836
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
이 번호는 주문 확인서, 청구서, 발송장, 웹 확인 이메일, 제품 라벨에 추가됩니다.
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호IRFIB6N60APBF
주문 코드8649073
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id5.5A
Drain Source On State Resistance0.75ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation60W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
제품 개요
The IRFIB6N60APBF is a 600V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. It is suitable for SMPS, uninterruptible power supply and high speed power switching applications.
- Low gate charge Qg results in simple drive requirement
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
- High voltage isolation
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.5A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
60W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.75ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
관련 제품
3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002