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IRFP150PBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 41 A, 0.055 ohm, TO-247AC, Through Hole
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|---|---|
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| 10+ | ₩3,840 |
| 100+ | ₩3,474 |
| 500+ | ₩3,024 |
| 1000+ | ₩2,785 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호IRFP150PBF
주문 코드1611457
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id41A
Drain Source On State Resistance0.055ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation230W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
제품 개요
The IRFP150PBF is a HEXFET® third generation N-channel Power MOSFET provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package provides greater creepage distances between pins to meet the requirements of most safety specifications.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rating
- Isolated central mounting hole
- Fast switching
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
애플리케이션
Commercial, Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
41A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
230W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.055ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.004536